双面光刻方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201410036230.3
IPC分类号：G03F9/00;G03F7/00
申请日期：
2014-01-24
申请人：
无锡华润上华半导体有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	双面光刻方法
申请号	CN201410036230.3	申请日期	2014-01-24
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2015-07-29	公开/公告号	CN104808450A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G03F9/00 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术〔4〕 G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备（照相排版装置入B41B；为摄影用的感光材料或处理入G03C；电记录、感光层或处理入G03G） G03F9/00 原版、蒙片、片框、照片、图纹表面的对准或定位，例如自动地（G03F 7/22优先；照相蒙片的制备入G03F 1/00；在复制用的照相印片设备中的入G03B 27/00）〔4〕	IPC分类号	G;0;3;F;9;/;0;0;;;G;0;3;F;7;/;0;0查看分类表>
申请人	无锡华润上华半导体有限公司	申请人地址	江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	无锡华润上华科技有限公司	当前权利人	无锡华润上华科技有限公司
发明人	荆二荣
代理机构	广州华进联合专利商标代理有限公司	代理人	邓云鹏

摘要

本发明公开一种双面光刻方法，包括如下步骤：在待光刻的衬底（100）上的一面或两面制作第一对位标记（101）；利用所述第一对位标记（101）对齐第一次光刻所用的光刻版和衬底（100），并在所述衬底（100）上制作图形和第二对位标记（103）；利用所述第二对位标记（103）对齐后续光刻所用的光刻版和衬底（100），并在所述衬底（100）上制作后续图形；所述第一对位标记（101）的精度高于所述第二对位标记（103）的精度。上述方法可以防止图形在衬底上的偏移。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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