具有晶体管单元和增强单元的半导体器件

发明专利有效专利

申请号：
CN201510975028.1
IPC分类号：H01L27/06;H01L29/423;H01L29/739
申请日期：
2015-12-23
申请人：
英飞凌科技股份有限公司

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专利名称	具有晶体管单元和增强单元的半导体器件
申请号	CN201510975028.1	申请日期	2015-12-23
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2016-06-29	公开/公告号	CN105720054A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L27/06 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L27/00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件（其零部件入H01L 23/00，H01L 29/00至H01L 51/00；由多个单个固态器件组成的组装件入H01L 25/00）〔2，8〕 H01L27/02 包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的〔2〕 H01L27/04 其衬底为半导体的〔2〕 H01L27/06 在非重复结构中包括有多个单个组件的〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;7;/;0;6;;;H;0;1;L;2;9;/;4;2;3;;;H;0;1;L;2;9;/;7;3;9查看分类表>
申请人	英飞凌科技股份有限公司	申请人地址	德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1－12号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	英飞凌科技股份有限公司	当前权利人	英飞凌科技股份有限公司
发明人	R.巴布尔斯克;M.戴内泽;C.耶格;J.G.拉文
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	张凌苗;王传道

摘要

提供了具有晶体管单元和增强单元的半导体器件。一种半导体器件包括晶体管单元（TC）和增强单元（EC）。每个晶体管单元（TC）包括与漂移结构（120）形成第一pn结（pn1）的本体区（115）。晶体管单元（TC）可以在第一控制信号（C1）超过第一阈值（Vthx）时在本体区（115）中形成反型沟道（115x）。反型沟道（115x）形成漂移结构（120）与第一负载电极（310）之间的连接的一部分。延迟单元（400）生成第二控制信号（C2），第二控制信号（C2）的后沿相对于第一控制信号（C1）的后沿延迟。增强单元（EC）在第二控制信号（C2）下降到低于比第一阈值（Vthx）低的第二阈值（Vthy）时在漂移结构（120）中形成反型层（120y）。反型层（120y）作为少数电荷载流子发射极起效。

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