一种基于石墨烯的硅基紫外光电探测器

实用新型专利有效专利

申请号：
CN201621029512.1
IPC分类号：H01L31/108;H01L31/028
申请日期：
2016-08-31
申请人：
杭州紫元科技有限公司

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著录项信息

专利名称	一种基于石墨烯的硅基紫外光电探测器
申请号	CN201621029512.1	申请日期	2016-08-31
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L31/108 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L31/058 （转入H01L 31/0525，H02S 40/44） H01L31/08 其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器〔2〕 H01L31/10 特点在于至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的，例如光敏晶体管〔2〕 H01L31/101 对红外、可见或紫外辐射敏感的器件〔5〕 H01L31/102 仅以一个势垒或面垒为特征的〔5〕 H01L31/108 为肖特基型势垒的〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;1;/;1;0;8;;;H;0;1;L;3;1;/;0;2;8查看分类表>
申请人	杭州紫元科技有限公司	申请人地址	浙江省杭州市富阳区银湖街道富闲路9号银湖创新中心7号二层216室变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	杭州紫元科技有限公司	当前权利人	杭州紫元科技有限公司
发明人	万霞
代理机构	北京科亿知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	汤东凤

摘要

本实用新型公开了一种基于石墨烯的硅基紫外光电探测器，包括依次叠加的外延硅衬底、隔离层、硅窗口、顶电极和石墨烯薄膜，外延硅衬底具有重掺杂层和轻掺杂层。本实用新型通过采用石墨烯/硅结构形成的超浅结设计来增强紫外波段响应；通过在重掺杂底层上表面外延生长薄硅轻掺杂结构来减小表面复合，有效增加紫外响应、抑制可见光响应，实现光谱选择性探测；通过采用高导电性石墨烯薄膜，额外增加紫外光吸收，使紫外光灵敏度以及响应速度得到提高，接近甚至超过传统硅基紫外探测器的理论性能极限。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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