光检测电路和电子设备

发明专利有效专利

申请号：
CN201010163584.6
IPC分类号：G01J1/44;H03K17/94;H02M3/155
申请日期：
2010-04-13
申请人：
精工电子有限公司

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法律信息

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著录项信息

专利名称	光检测电路和电子设备
申请号	CN201010163584.6	申请日期	2010-04-13
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2010-10-13	公开/公告号	CN101858784A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01J1/44 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01J 红外光、可见光、紫外光的强度、速度、光谱成分，偏振、相位或脉冲特性的测量；比色法；辐射高温测定法〔2〕 G01J1/00 光度测定法，例如照相的曝光表（分光光度测定法入G01J 3/00；专用于辐射高温测定法的入G01J 5/00） G01J1/42 采用电辐射检测器（光学或机械部件入G01J 1/04；与基准光或基准电参数作比较的入G01J 1/10） G01J1/44 电路	IPC分类号	G;0;1;J;1;/;4;4;;;H;0;3;K;1;7;/;9;4;;;H;0;2;M;3;/;1;5;5查看分类表>
申请人	精工电子有限公司	申请人地址	日本千叶县变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	艾普凌科有限公司	当前权利人	艾普凌科有限公司
发明人	宇都宫文靖
代理机构	北京三友知识产权代理有限公司	代理人	黄纶伟;吕俊刚

摘要

本发明提供光检测电路和电子设备，其消耗电流极小。作为解决手段，构成为：具有栅极分别与相对的P沟道MOS晶体管的漏极连接的2个相对的P沟道MOS晶体管，一个P沟道MOS晶体管的漏极利用N沟道MOS晶体管的导通电流而放电，该N沟道MOS晶体管根据由光发电元件产生的电压而导通，另一个P沟道MOS晶体管的漏极利用耗尽型N沟道MOS晶体管的导通电流而放电，该耗尽型N沟道MOS晶体管的栅极被输入基准电源端子的电压，源极被输入由光发电元件产生的电压。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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