精准制备鳍式结构深度的自动制程控制方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202010431303.4
IPC分类号：H01L21/336;H01L21/306;H01L21/66
申请日期：
2020-05-20
申请人：
广东汉岂工业技术研发有限公司

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专利名称	精准制备鳍式结构深度的自动制程控制方法
申请号	CN202010431303.4	申请日期	2020-05-20
法律状态	公开	申报国家	中国
公开/公告日	2021-11-26	公开/公告号	CN113707554A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/336 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/18 器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料〔2，6，7〕 H01L21/334 制造单极型器件的台阶式工艺〔5〕 H01L21/335 场效应晶体管〔5〕 H01L21/336 带有绝缘栅的〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;3;3;6;;;H;0;1;L;2;1;/;3;0;6;;;H;0;1;L;2;1;/;6;6查看分类表>
申请人	广东汉岂工业技术研发有限公司	申请人地址	广东省佛山市顺德区大良街道办事处德和居民委员会国泰南路3号保利商贸中心1栋37层3701、38层办公室变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	广东汉岂工业技术研发有限公司	当前权利人	广东汉岂工业技术研发有限公司
发明人	张峰溢
代理机构	深圳市顺天达专利商标代理有限公司	代理人	郭伟刚

摘要

一种精准制备鳍式结构深度精度达到小于+/‑0.5nm的自动制程控制方法，包括以下步骤：1)进行浅沟槽隔离回蚀并执行第一次自动制程控制(APC‑1)；2)用硫酸加双氧水进行清洗；3)移去氮化硅硬式罩幕；4)量测蚀刻深度并将量测值回馈给浅沟槽隔离回蚀；5)进行第一次鳍式结构深度蚀刻並执行第二次自动制程控制(APC‑2)；6)量测蚀刻深度并将量测值回馈给第一次鳍式结构深度蚀刻；7)进行第二次鳍式结构深度蚀刻並执行第三次自动制程控制(APC‑3)；8)量测蚀刻深度并将量测值回馈给第二次鳍式结构深度蚀刻。这种方法鳍式结构深度控制精度可由+/‑1.5nm改善到小于+/‑0.5nm。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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