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二次电池及其制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201010299097.2
  • IPC分类号:H01M10/04;H01M2/08
  • 申请日期:
    2010-09-29
  • 申请人:
    三星SDI株式会社
著录项信息
专利名称二次电池及其制造方法
申请号CN201010299097.2申请日期2010-09-29
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2011-04-27公开/公告号CN102035016A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01M10/04IPC分类号H;0;1;M;1;0;/;0;4;;;H;0;1;M;2;/;0;8查看分类表>
申请人三星SDI株式会社申请人地址
韩国京畿道 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人三星SDI株式会社当前权利人三星SDI株式会社
发明人金大奎
代理机构北京市柳沈律师事务所代理人金拟粲
摘要
本发明涉及二次电池及其制造方法。所述二次电池包括:包括正极板、负极板以及插入其间的隔板的电极组件;包围所述电极组件的外周表面的密封带;容纳所述电极组件的外壳;和密封所述外壳的帽组件。所述密封带由能热收缩的材料形成。在将所述电极组件和所述密封带密封在所述外壳中之后,在预定温度下加热所述外壳以使所述密封带收缩。

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