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单分散介孔二氧化硅纳米片材料的制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201811534737.6
IPC分类号：C01B33/18;B82Y30/00;B82Y40/00
申请日期：
2018-12-14
申请人：
深圳元颉新材料科技有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	单分散介孔二氧化硅纳米片材料的制备方法
申请号	CN201811534737.6	申请日期	2018-12-14
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2019-02-22	公开/公告号	CN109368648A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C01B33/18 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C01 无机化学 C01B 非金属元素；其化合物（制备元素或二氧化碳以外无机化合物的发酵或用酶工艺入C12P 3/00；用电解法或电泳法生产非金属元素或无机化合物入C25B） C01B33/00 硅；其化合物（C01B 21/00，C01B 23/00优先；过硅酸盐入 C01B 15/14；碳化物入C01B32/956）〔1，3，2006.01〕 C01B33/113 氧化硅；其水合物〔3〕 C01B33/12 硅石；其水合物，如勒皮硅酸〔3〕 C01B33/18 既非溶胶态又非凝胶态的细分散硅石的制备；其后处理（提高着色或填充性质的处理入C09C）〔3〕	IPC分类号	C;0;1;B;3;3;/;1;8;;;B;8;2;Y;3;0;/;0;0;;;B;8;2;Y;4;0;/;0;0查看分类表>
申请人	深圳元颉新材料科技有限公司	申请人地址	广东省深圳市南山区粤海街道滨海社区科园路1008号软件产业基地1栋C1201 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	深圳元颉新材料科技有限公司	当前权利人	深圳元颉新材料科技有限公司
发明人	赵东元;朱洪伟;刘玉普
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

本发明提出了一种单分散介孔二氧化硅纳米片材料的制备方法，包括：(1)将表面活性剂和催化剂溶解到水中，加入有机溶剂；加入硅源，形成新的混相体系；(2)所述新的混相体系在温度10‑60℃中反应；得到单分散介孔二氧化硅纳米片；(3)将上述单分散介孔二氧化硅纳米片，去除其中的表面活性剂。

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