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一种压电薄膜接受器及其阵列

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201910935630.0
  • IPC分类号:H03F1/26;H01L41/047;H01L41/08
  • 申请日期:
    2019-09-29
  • 申请人:
    索夫纳特私人有限公司
著录项信息
专利名称一种压电薄膜接受器及其阵列
申请号CN201910935630.0申请日期2019-09-29
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2019-12-03公开/公告号CN110535443A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H03F1/26IPC分类号H;0;3;F;1;/;2;6;;;H;0;1;L;4;1;/;0;4;7;;;H;0;1;L;4;1;/;0;8查看分类表>
申请人索夫纳特私人有限公司申请人地址
新加坡 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人索夫纳特私人有限公司当前权利人索夫纳特私人有限公司
发明人张嵩松
代理机构北京维昊知识产权代理事务所(普通合伙)代理人李波;孙新国
摘要
本发明提供了一种压电薄膜接受器及其阵列,其中所述压电薄膜接受器,包括上电极(31)、下电极(32)和压电层(33),其中,所述压电层(33)设置于所述上电极(31)和所述下电极(32)之间;所述上电极(31)和所述下电极(32)中的至少之一划分为多块。根据本发明的技术方案,可以减小接受器的静态电容,从而降低电压噪声。进一步地,根据本发明的压电薄膜接受器阵列,可以克服入射波的相位差。

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