一种压电薄膜接受器及其阵列

发明专利有效专利

申请号：
CN201910935630.0
IPC分类号：H03F1/26;H01L41/047;H01L41/08
申请日期：
2019-09-29
申请人：
索夫纳特私人有限公司

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著录项信息

专利名称	一种压电薄膜接受器及其阵列
申请号	CN201910935630.0	申请日期	2019-09-29
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2019-12-03	公开/公告号	CN110535443A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H03F1/26 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H03 基本电子电路 H03F 放大器（测量、试验入G01R；光参量放大器入G02F；具有二次发射管的电路装置入H01J 43/30；微波激射器，激光器入H01S；电动放大器入H02K；放大的控制入H03G；与放大器特性无关的耦合装置，分压器入H03H；只能处理脉冲的放大器入H03K；传输线路中的中继器电路入H04B 3/36、H04B 3/58；电话通信中音频放大器的应用入H04M 1/60，H04M 3/40） H03F1/00 只用电子管，只用半导体器件或只用未特别指明的器件作为放大元件的放大器的零部件 H03F1/26 为减少由放大元件产生的噪声影响对放大器的改进	IPC分类号	H;0;3;F;1;/;2;6;;;H;0;1;L;4;1;/;0;4;7;;;H;0;1;L;4;1;/;0;8查看分类表>
申请人	索夫纳特私人有限公司	申请人地址	新加坡变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	索夫纳特私人有限公司	当前权利人	索夫纳特私人有限公司
发明人	张嵩松
代理机构	北京维昊知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	李波;孙新国

摘要

本发明提供了一种压电薄膜接受器及其阵列，其中所述压电薄膜接受器，包括上电极(31)、下电极(32)和压电层(33)，其中，所述压电层(33)设置于所述上电极(31)和所述下电极(32)之间；所述上电极(31)和所述下电极(32)中的至少之一划分为多块。根据本发明的技术方案，可以减小接受器的静态电容，从而降低电压噪声。进一步地，根据本发明的压电薄膜接受器阵列，可以克服入射波的相位差。

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