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基于氧化镓二维电子气的薄膜场效应晶体管

实用新型专利有效专利
  • 申请号:
    CN202120773315.5
  • IPC分类号:H01L29/778;H01L29/267
  • 申请日期:
    2021-04-15
  • 申请人:
    复旦大学
著录项信息
专利名称基于氧化镓二维电子气的薄膜场效应晶体管
申请号CN202120773315.5申请日期2021-04-15
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日公开/公告号
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/778
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;7;8;;;H;0;1;L;2;9;/;2;6;7查看分类表>
申请人复旦大学申请人地址
上海市杨浦区邯郸路220号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人复旦大学当前权利人复旦大学
发明人刘宇航;马宏平;卢红亮
代理机构上海光华专利事务所(普通合伙)代理人卢炳琼
摘要
本实用新型提供一种基于氧化镓二维电子气的薄膜场效应晶体管。包括衬底、异质结构、栅介质层、源电极、漏电极及栅电极;异质结构包括位于衬底表面的氧化镓层和位于氧化镓层表面的氧化锌层,氧化镓层和氧化锌层的界面处形成二维电子气;栅介质层位于氧化锌层的表面,栅电极位于栅介质层的表面;源电极和漏电极位于氧化镓层的表面,且与氧化镓层欧姆接触。本实用新型利用在原子层沉积氧化锌的过程中对氧化镓层的氧化还原反应所产生的氧空位,在氧化锌/氧化镓异质结界面处形成导电沟道,通过栅极电压对氧空位浓度的调节,实现对场效应晶体管的开关控制,从而为低导通电阻增强型氧化镓二维电子气的耐压电子器件提供新的解决方案。

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