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一种测试LED芯片电性能参数的装置

实用新型专利无效专利
  • 申请号:
    CN201420792028.9
  • IPC分类号:H01L21/66
  • 申请日期:
    2014-12-12
  • 申请人:
    华南师范大学
著录项信息
专利名称一种测试LED芯片电性能参数的装置
申请号CN201420792028.9申请日期2014-12-12
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日公开/公告号
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/66IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;6;6查看分类表>
申请人华南师范大学申请人地址
广东省广州市天河区石牌中山大道西55号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人华南师范大学当前权利人华南师范大学
发明人潘中良;陈翎
代理机构广州市华学知识产权代理有限公司代理人苏运贞
摘要
本实用新型公开了一种测试LED芯片电性能参数的装置。该装置包含控制单元、恒流源、恒压源、电压采样单元、电流采样单元、计算机和用于放置被测LED芯片的检测平台;其中,恒流源、恒压源、电压采样单元、电流采样单元和计算机分别与控制单元连接,恒流源、恒压源、电压采样单元和电流采样单元分别与用于放置被测LED芯片的检测平台连接。本实用新型可以有效地提高对LED的正向电流、正向电压、反向电压、反向电流等参数进行检测的处理速度,并且所需的功耗较低。

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