加载中...
首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

一种碳化硅同质外延材料的制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202110042520.9
  • IPC分类号:H01L21/02
  • 申请日期:
    2021-01-13
  • 申请人:
    中电化合物半导体有限公司
著录项信息
专利名称一种碳化硅同质外延材料的制备方法
申请号CN202110042520.9申请日期2021-01-13
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2021-06-01公开/公告号CN112885708A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/02IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;0;2查看分类表>
申请人中电化合物半导体有限公司申请人地址
浙江省宁波市杭州湾新区兴慈一路290号3号楼105-1室 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中电化合物半导体有限公司当前权利人中电化合物半导体有限公司
发明人周长健;潘尧波;唐军
代理机构上海光华专利事务所(普通合伙)代理人苗晓娟
摘要
本发明提供一种碳化硅同质外延材料的制备方法,包括以下步骤:将碳化硅衬底放入反应室内,并将所述反应室抽真空;将所述反应室升温至刻蚀温度,对所述碳化硅衬底进行原位刻蚀;在刻蚀后的所述碳化硅衬底上生长碳化硅缓冲层;将所述反应室的温度调节至碳化硅外延层的生长温度,在所述碳化硅缓冲层上生长所述碳化硅外延层;待所述反应室降温后,获得所述碳化硅同质外延材料;其中,所述刻蚀温度为所述碳化硅缓冲层的生长温度,且所述刻蚀温度大于所述碳化硅外延层的生长温度。采用本发明的制备方法制备的碳化硅同质外延材料的层错密度大大降低,从而提高了碳化硅器件的良率。

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供