半导体器件的制造方法、半导体器件、支撑衬底和半导体制造装置

发明专利无效专利

申请号：
CN201310323696.7
IPC分类号：H01L21/66;H01L21/683
申请日期：
2013-07-30
申请人：
株式会社东芝

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著录项信息

专利名称	半导体器件的制造方法、半导体器件、支撑衬底和半导体制造装置
申请号	CN201310323696.7	申请日期	2013-07-30
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2014-03-26	公开/公告号	CN103681398A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/66 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/66 在制造或处理过程中的测试或测量〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;6;6;;;H;0;1;L;2;1;/;6;8;3查看分类表>
申请人	株式会社东芝	申请人地址	日本东京都变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	株式会社东芝	当前权利人	株式会社东芝
发明人	辻井浩
代理机构	中国国际贸易促进委员会专利商标事务所	代理人	高科

摘要

本发明的实施方式提供一种半导体器件的制造方法、半导体器件、支撑衬底和半导体制造装置，该实施方式的半导体器件的制造方法包括：在第一面上形成了多个半导体器件的半导体衬底的与上述第一面相对的第二面上，粘贴形成有贯通孔的第二支撑衬底，以使得上述贯通孔与上述半导体器件相重叠的工序；以及使电气特性检查装置的探头接触于上述半导体器件的上述第一面上设置的表面电极和从上述贯通孔露出的上述半导体器件的背面电极，测定上述半导体器件的电气特性的工序。

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