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在基材上形成有阻挡层兼种子层的电子构件

发明专利有效专利

申请号：
CN200980101582.X
IPC分类号：H01L21/3205;C23C14/14;C25D7/12;H01L21/285;H01L21/288;H01L23/52
申请日期：
2009-02-19
申请人：
日矿金属株式会社

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	在基材上形成有阻挡层兼种子层的电子构件
申请号	CN200980101582.X	申请日期	2009-02-19
法律状态	暂无	申报国家	暂无
公开/公告日	2010-12-08	公开/公告号	CN101911264A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/3205 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/18 器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料〔2，6，7〕 H01L21/30 用H01L 21/20至H01L 21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L 21/28）〔2〕 H01L21/31 在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的（密封层入H01L 21/56）；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择〔2，5〕 H01L21/3205 非绝缘层的沉积，例如绝缘层上的导电层或电阻层；这些层的后处理（电极的制造入H01L 21/28）〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;3;2;0;5;;;C;2;3;C;1;4;/;1;4;;;C;2;5;D;7;/;1;2;;;H;0;1;L;2;1;/;2;8;5;;;H;0;1;L;2;1;/;2;8;8;;;H;0;1;L;2;3;/;5;2查看分类表>
申请人	日矿金属株式会社	申请人地址	日本东京都港区虎之门二丁目10番4号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	新日矿控股株式会社,捷客斯金属株式会社	当前权利人	新日矿控股株式会社,捷客斯金属株式会社
发明人	关口淳之辅;伊森彻
代理机构	北京市中咨律师事务所	代理人	段承恩;田欣

摘要

本发明的目的是提供采用更简易的方法形成ULSI微细铜配线的技术。一种电子构件，是在基材上形成有作为ULSI微细铜配线的阻挡层兼种子层使用的钨与贵金属的合金薄膜的电子构件，该合金薄膜的组成是钨为60原子％以上、贵金属为5原子％～40原子％。作为所述贵金属，优选是选自铂、金、银、钯中的1种或2种以上的金属。

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