用于容器的等离子体处理的设备和方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201980090302.3
IPC分类号：C23C16/04;C23C16/40;C23C16/455;C23C16/511;C23C16/52;H01J37/32
申请日期：
2019-11-22
申请人：
KHS有限责任公司

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著录项信息

专利名称	用于容器的等离子体处理的设备和方法
申请号	CN201980090302.3	申请日期	2019-11-22
法律状态	公开	申报国家	中国
公开/公告日	2021-11-09	公开/公告号	CN113631753A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C23C16/04 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕 C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆（挤压法制造包覆金属的产品入B21C23/22；通过将预先存在的薄层连接到制品上的方法用金属进行镀覆处理的见各有关位置，例如B21D39/00，B23K；玻璃的金属化入C03C；砂浆、混凝土、人造石、陶瓷或天然石的金属化入C04B41/00；金属的搪瓷或向金属上镀覆玻璃体层入c23D；用电解法或电泳法处理金属表面或镀覆金属入C25D；单晶膜生长入C30B；纺织品的金属化入D06M11/83；用局部金属化法装饰纺织品入D06Q1/04）〔4〕 C23C16/00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积（CVD）工艺（反应溅射或真空蒸发入C23C 14/00）〔4〕 C23C16/04 局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的〔4〕	IPC分类号	C;2;3;C;1;6;/;0;4;;;C;2;3;C;1;6;/;4;0;;;C;2;3;C;1;6;/;4;5;5;;;C;2;3;C;1;6;/;5;1;1;;;C;2;3;C;1;6;/;5;2;;;H;0;1;J;3;7;/;3;2查看分类表>
申请人	KHS有限责任公司	申请人地址	德国多特蒙德变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	KHS有限责任公司	当前权利人	KHS有限责任公司
发明人	M·赫尔博特;B·贝耶斯多尔夫
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	卢江;吕传奇

摘要

本发明涉及一种用于容器（5）的等离子体处理的设备，该设备包括用于生成过程气体混合物的过程气体发生器（100）并且包括至少一个涂布站（3），所述涂布站包括具有处理位置（40）的至少一个等离子体室（17），在所述等离子体室中具有容器内部（5.1）的至少一个容器（5）可以被插入并被定位在处理位置（40）处，每个等离子体室（17）是至少部分可抽空的以便通过容器（5）吸入由过程气体发生器（100）提供的过程气体，容器的内部因此借助于等离子体处理被提供内部涂布，并且压力测量设备（79，96‑98）被提供在设备的预定点处以便确保过程稳定性。根据本发明，至少在设备的一些预定点处的压力测量设备（96‑98）包括依赖于气体类型的压力换能器（86）。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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