一种内嵌光纤超导带材及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201910344526.4
IPC分类号：H01B12/06;G01K11/32
申请日期：
2019-04-26
申请人：
上海交通大学

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著录项信息

专利名称	一种内嵌光纤超导带材及其制备方法
申请号	CN201910344526.4	申请日期	2019-04-26
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2019-07-16	公开/公告号	CN110021459A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01B12/06 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01B 电缆；导体；绝缘体；导电、绝缘或介电材料的选择（磁性材料的选择入H01F 1/00；波导管入H01P） H01B12/00 超导或高导导体、电缆或传输线（按陶瓷形成工艺或陶瓷组合物性质区分的超导体入C04B 35/00〔2，4〕 H01B12/02 按其形状区分的〔4〕 H01B12/06 在基体上或线芯上的薄膜或线〔4〕	IPC分类号	H;0;1;B;1;2;/;0;6;;;G;0;1;K;1;1;/;3;2查看分类表>
申请人	上海交通大学	申请人地址	上海市闵行区东川路800号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海交通大学	当前权利人	上海交通大学
发明人	江俊杰;李柱永;盛杰
代理机构	上海汉声知识产权代理有限公司	代理人	庄文莉

摘要

本发明提供了一种内嵌光纤超导带材及其制备方法，所述内嵌光纤超导带材，包括上保护金属带、下保护金属带、超导裸带和测量光纤，所述上保护金属带和/或下保护金属带的表面沿带材长度方向刻有一道或多道深槽，所述测量光纤嵌于深槽内，所述深槽的深度小于保护金属带的厚度且大于光纤的直径，所述超导裸带通过高温焊锡被封装在上保护金属带、下保护金属带之间；制备时，还包括将测量光纤内嵌于深槽内，通过低温焊锡将测量光纤与超导带材封装在一起的步骤。本发明在实现对超导带材温度分布测量的同时，超导带材结构不受影响，测量光纤可被替换，显著提高超导带材的重复利用率和内嵌光纤超导带材的成品率。

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