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一种基于氧化锌薄膜的薄膜晶体管

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201510939432.3
  • IPC分类号:H01L29/423;H01L29/786
  • 申请日期:
    2015-12-15
  • 申请人:
    浙江大学
著录项信息
专利名称一种基于氧化锌薄膜的薄膜晶体管
申请号CN201510939432.3申请日期2015-12-15
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2016-05-11公开/公告号CN105576017A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/423IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;4;2;3;;;H;0;1;L;2;9;/;7;8;6查看分类表>
申请人浙江大学申请人地址
浙江省杭州市西湖区浙大路38号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人浙江大学当前权利人浙江大学
发明人叶志;刘腾飞
代理机构杭州求是专利事务所有限公司代理人韩介梅
摘要
本发明公开了一种基于氧化锌薄膜的薄膜晶体管,该薄膜晶体管包括半导体沟道层、栅绝缘层、源极、漏极和栅极。本发明的基于氧化锌薄膜的薄膜晶体管以氧化锌薄膜作为半导体沟道层,采用顶栅结构并采用双层的栅绝缘层,栅绝缘层中第一绝缘层作为氧化锌薄膜的保护层,能有效保护氧化锌薄膜不受环境和后续工艺的影响。通过多次氧气氛围下的快速退火,使得氧化锌薄膜的载流子浓度得到有效控制,进而使薄膜晶体管可以在接近0V的栅极偏压下实现关断,并对氧化锌薄膜进行去氢化处理,同时修复半导体沟道层和绝缘层的界面处缺陷,使得薄膜晶体管的电学稳定性得到极大提高。

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