用于硅晶体制备的石墨坩埚

实用新型专利无效专利

申请号：
CN201290000953.2
IPC分类号：C30B15/10
申请日期：
2012-11-07
申请人：
格拉弗技术国际控股有限公司

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著录项信息

专利名称	用于硅晶体制备的石墨坩埚
申请号	CN201290000953.2	申请日期	2012-11-07
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B15/10 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B15/00 熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法（在保护流体下的入C30B 27/00）〔3〕 C30B15/10 承载熔融液的坩埚或容器〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;1;5;/;1;0查看分类表>
申请人	格拉弗技术国际控股有限公司	申请人地址	美国俄亥俄州变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	格拉弗技术国际控股有限公司	当前权利人	格拉弗技术国际控股有限公司
发明人	A.J.弗兰西斯;R.A.雷诺三世;R.C.埃罗伊特;G.D.希弗斯;P.苏布拉马尼安;O.克鲁斯
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	董均华;谭祐祥

摘要

公开了用于硅晶体制备的石墨坩埚。所述坩埚包括底壁，该底壁包括底壁内部的外层表面。多个侧壁从底壁向上延伸，每个侧壁包括侧壁内部的外层表面。接触点设置在侧壁上以防止坩埚在铸锭移除期间向上移动。侧壁具有垂直于凝固方向的热膨胀系数，该系数小于在坩埚中加工的硅的热膨胀系数的95%。另外，侧壁和底壁在室温下具有从约90至约160W/m·K的贯通面热导率。所述方法涉及具有顶部表面和在后加工步骤中将被移除的切割区域的硅铸锭，所述方法包括：将一个或多个紧固件在所述切割区域中的位置处附接到所述顶部表面；向上牵拉所述一个或多个紧固件，从而从所述石墨坩埚移除所述硅铸锭。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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