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一种多晶硅的提纯方法及其凝固装置

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200710009237.6
  • IPC分类号:C30B29/06;C30B28/06;C01B33/021
  • 申请日期:
    2007-07-17
  • 申请人:
    佳科太阳能硅(厦门)有限公司
著录项信息
专利名称一种多晶硅的提纯方法及其凝固装置
申请号CN200710009237.6申请日期2007-07-17
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2007-12-26公开/公告号CN101092740
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C30B29/06IPC分类号C;3;0;B;2;9;/;0;6;;;C;3;0;B;2;8;/;0;6;;;C;0;1;B;3;3;/;0;2;1查看分类表>
申请人佳科太阳能硅(厦门)有限公司申请人地址
福建省龙岩市工业西路68号龙州工业园核心区 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人佳科太阳能硅(厦门)有限公司,佳科太阳能硅(龙岩)有限公司当前权利人佳科太阳能硅(厦门)有限公司,佳科太阳能硅(龙岩)有限公司
发明人杨继荣;孙坤泽;洪永强
代理机构厦门南强之路专利事务所代理人马应森
摘要
一种多晶硅的提纯方法及其凝固装置,涉及一种多晶硅。提供一种结构简单的多晶硅定向凝固装置及其设备简单、投入少和能耗小的多晶硅的提纯方法。设炉体、炉盖、耐火保温层、焦炭燃烧室、石墨容器和温度控制系统。将硅粉投入炉内熔化成硅水,将石墨容器放于焦炭燃烧室底部的底座和炉桥的正上方,将焦炭放入焦炭燃烧室,盖上炉盖,石墨容器加热至1100℃以上,将硅液体温度加热至1550~1800℃,将焦炭炉送到炉前,将硅液体倒入容器,在硅水上方覆盖稻壳。安装热电偶,焦炭炉温度升至1300~1450℃,使焦炭炉的温度下降至700~900℃,自然降温至80℃以下时取出硅锭。

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