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一种制备SiCMOSFET栅氧化层的方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201510047816.4
  • IPC分类号:H01L21/28;H01L21/04
  • 申请日期:
    2015-01-30
  • 申请人:
    株洲南车时代电气股份有限公司
著录项信息
专利名称一种制备SiCMOSFET栅氧化层的方法
申请号CN201510047816.4申请日期2015-01-30
法律状态驳回申报国家中国
公开/公告日2015-05-20公开/公告号CN104637801A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/28IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;2;8;;;H;0;1;L;2;1;/;0;4查看分类表>
申请人株洲南车时代电气股份有限公司申请人地址
湖南省株洲市石峰区时代路169号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人株洲南车时代电气股份有限公司当前权利人株洲南车时代电气股份有限公司
发明人李诚瞻;刘可安;赵艳黎;周正东;吴佳;杨勇雄;丁荣军
代理机构北京聿宏知识产权代理有限公司代理人吴大建;陈伟
摘要
本发明涉及一种制备SiCMOSFET栅氧化层的方法,属于SiCMOSFET器件领域。所述方法包括在SiC外延层上热生长SiO2栅氧化层,然后在500~1000℃,优选700~800℃下,包含Cl2的环境中退火该栅氧化层。优选以0.5-2slm的速率通入Cl2与惰性气体的混合气体,退火压力为100~1000mbar,保持时间30~180min。所述方法使用Cl2退火栅介质SiO2层,可以消除SiO2栅介质层中的氧空位陷阱电荷,提高SiCMOSFET器件中SiO2栅介质层的临界击穿电场和耐压能力。

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