显示装置及显示装置的制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202110041393.0
IPC分类号：H01L27/12;H01L21/84;G09F9/30
申请日期：
2021-01-13
申请人：
武汉华星光电半导体显示技术有限公司

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著录项信息

专利名称	显示装置及显示装置的制备方法
申请号	CN202110041393.0	申请日期	2021-01-13
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-05-14	公开/公告号	CN112802858A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L27/12 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L27/00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件（其零部件入H01L 23/00，H01L 29/00至H01L 51/00；由多个单个固态器件组成的组装件入H01L 25/00）〔2，8〕 H01L27/02 包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的〔2〕 H01L27/12 其衬底为非半导体的，例如为绝缘体的〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;7;/;1;2;;;H;0;1;L;2;1;/;8;4;;;G;0;9;F;9;/;3;0查看分类表>
申请人	武汉华星光电半导体显示技术有限公司	申请人地址	湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道666号光谷生物创新园C5栋305室变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	武汉华星光电半导体显示技术有限公司	当前权利人	武汉华星光电半导体显示技术有限公司
发明人	程立昆;孙亮;易士娟
代理机构	深圳紫藤知识产权代理有限公司	代理人	黄舒悦

摘要

本发明公开了一种显示装置及显示装置的制备方法，所述显示装置包括：多个像素岛区域，所述多个像素岛区域彼此分离；多个连接桥区域，所述多个连接桥区域将相邻的所述像素岛区域彼此连接；其中，所述显示装置包括第一金属层，所述第一金属层在所述像素岛区域中图案化形成阳极、在所述连接桥区域中图案化形成至少一根金属走线。本发明通过所述第一金属层在所述连接桥区域中形成金属走线，在不增加光罩数量和光罩制程数量的情况下，形成所述金属走线的膜层数量增多，同一膜层内的数量减小，减小了所述连接桥区域的整体宽度，从而提升了耐弯折性能，降低了拉伸过程中断裂失效的风险，提升了产品质量。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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