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一种中空IRMOF-3薄膜的制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201710690545.3
IPC分类号：C25D9/02
申请日期：
2017-08-14
申请人：
哈尔滨理工大学

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种中空IRMOF-3薄膜的制备方法
申请号	CN201710690545.3	申请日期	2017-08-14
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2018-01-12	公开/公告号	CN107574465A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C25D9/02 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C25 电解或电泳工艺；其所用设备〔4〕 C25D 覆层的电解或电泳生产工艺方法；电铸（印刷电路的金属沉积法制造入H05K 3/18）；工件的电解法接合；所用的装置（阳极或阴极保护入 C23F13/00；单晶生长入C30B）〔2，6〕 C25D9/00 非金属电镀层（C25D 11/00、C25D 15/00优先；电泳覆层入C25D 13/00）〔2〕 C25D9/02 有机材料的〔2〕	IPC分类号	C;2;5;D;9;/;0;2查看分类表>
申请人	哈尔滨理工大学	申请人地址	黑龙江省哈尔滨市南岗区学府路52号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	哈尔滨理工大学	当前权利人	哈尔滨理工大学
发明人	魏金枝;王雪亮
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

一种中空IRMOF‑3薄膜的制备方法。本发明涉及一种利用晶种‑电化学法相结合的方法在金属锌电极表面形成中空IRMOF‑3薄膜的制备方法。本发明的目的是要实现在金属锌片上生长一层中空IRMOF‑3薄膜。

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