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衬底及其制备方法、有机发光二极管显示器件

发明专利有效专利

申请号：
CN201711274870.8
IPC分类号：H01L51/52;H01L51/00
申请日期：
2017-12-06
申请人：
合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司

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法律信息

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著录项信息

专利名称	衬底及其制备方法、有机发光二极管显示器件
申请号	CN201711274870.8	申请日期	2017-12-06
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2018-05-15	公开/公告号	CN108039420A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L51/52 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L51/20 （转入H01L 51/05，H01L 51/42，H01L 51/50） H01L51/50 专门适用于光发射的，如有机发光二极管（OLED）或聚合物发光器件（PLED）（有机半导体激光器入 H01S 5/36）〔8〕 H01L51/52 器件的零部件〔8〕	IPC分类号	H;0;1;L;5;1;/;5;2;;;H;0;1;L;5;1;/;0;0查看分类表>
申请人	合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司	申请人地址	安徽省合肥市新站区工业园内变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	合肥鑫晟光电科技有限公司,京东方科技集团股份有限公司	当前权利人	合肥鑫晟光电科技有限公司,京东方科技集团股份有限公司
发明人	汪军;李广耀;王东方;刘军;袁广才;程磊磊
代理机构	北京博思佳知识产权代理有限公司	代理人	林祥

摘要

本发明公开了一种衬底及其制备方法、有机发光二极管显示器件，该衬底包括：金属箔，所述金属箔所采用的金属材料可进行阳极氧化，所述金属箔表面形成有多个凹陷陷光微结构，该衬底可以减小由于衬底的全反射导致的衬底模态损失，提高采用该衬底的发光器件的出光效率，提高光利用率。

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