一种高深径比孔洞的制备方法及结构

发明专利无效专利

申请号：
CN201710361221.5
IPC分类号：H01L23/64;H01L27/08
申请日期：
2017-05-19
申请人：
睿力集成电路有限公司

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著录项信息

专利名称	一种高深径比孔洞的制备方法及结构
申请号	CN201710361221.5	申请日期	2017-05-19
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2017-09-22	公开/公告号	CN107195620A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/64 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/58 其他组不包含的，用于半导体器件的电结构装置〔5〕 H01L23/64 阻抗装置〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;6;4;;;H;0;1;L;2;7;/;0;8查看分类表>
申请人	睿力集成电路有限公司	申请人地址	安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	长鑫存储技术有限公司	当前权利人	长鑫存储技术有限公司
发明人	不公告发明人
代理机构	上海光华专利事务所（普通合伙）	代理人	余明伟

摘要

本发明提供一种高深径比孔洞的制备方法及结构，所述方法包括：在衬底上形成保形叠层，例如硼磷硅玻璃膜叠层；刻蚀所述保形叠层形成孔洞；其中，所述保形叠层至少包括两层具有不同掺杂浓度的保形层，位于底层的保形层中的三五族元素掺杂浓度要高于位于顶层的保形层。本发明利用保形叠层内的掺杂浓度差异改善了高深径比孔洞的形貌结构。对于半导体存储器件，本发明利用周边区的浓度变化的保形层的厚度范围与浓度范围得到了在特定电容孔深径比范围内的电容孔下开孔与上开孔的比值范围的特殊控制效果，从而可增加电容良率，改善DRAM电容结构。

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