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一种半导体器件及其制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201410480152.6
  • IPC分类号:H01L21/762;H01L21/28;H01L27/12
  • 申请日期:
    2014-09-18
  • 申请人:
    中国科学院微电子研究所
著录项信息
专利名称一种半导体器件及其制造方法
申请号CN201410480152.6申请日期2014-09-18
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2016-04-13公开/公告号CN105489546A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/762IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;7;6;2;;;H;0;1;L;2;1;/;2;8;;;H;0;1;L;2;7;/;1;2查看分类表>
申请人中国科学院微电子研究所申请人地址
北京市朝阳区北土城西路3号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中国科学院微电子研究所当前权利人中国科学院微电子研究所
发明人徐烨锋;闫江;唐兆云;唐波;许静
代理机构北京维澳专利代理有限公司代理人党丽;逢京喜
摘要
本发明公开了一种半导体器件及其制造方法,该方法包括:提供半导体衬底;在所述衬底上形成第一半导体层和第二半导体层的叠层,衬底中形成有所述叠层的隔离结构;在第二半导体层上形成器件结构;刻蚀器件两侧的第二半导体层,以形成刻蚀孔;通过刻蚀孔进行腐蚀至少去除器件结构的栅极下的第一半导体层,以形成空腔;在空腔及刻蚀孔的内表面上形成介质层,并以导体层填充空腔及刻蚀孔。本发明可以通过体衬底实现SOI器件,通过在空腔及刻蚀孔中形成介质层并填充导体层来作为背栅,实现对器件的阈值电压进行调节,工艺简单易行。

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