一种太赫兹波段宽带吸收超材料

发明专利无效专利

申请号：
CN201310443091.1
IPC分类号：H01Q17/00
申请日期：
2013-09-25
申请人：
华中科技大学

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著录项信息

专利名称	一种太赫兹波段宽带吸收超材料
申请号	CN201310443091.1	申请日期	2013-09-25
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2014-01-29	公开/公告号	CN103545618A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01Q17/00 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01Q 天线（微波加热用辐射器或天线入H05B6/72） H01Q17/00 吸收天线辐射波的装置；这种装置与有源天线单元或系统的组合〔1，2006.01〕	IPC分类号	H;0;1;Q;1;7;/;0;0查看分类表>
申请人	华中科技大学	申请人地址	湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	华中科技大学	当前权利人	华中科技大学
发明人	陈长虹;冯士高;孟德佳
代理机构	华中科技大学专利中心	代理人	朱仁玲

摘要

本发明公开了一种太赫兹波段宽带吸收超材料，属于电磁通信领域。所述超材料包括金属反射层、介质层和金属图案层，介质层位于金属反射层和金属图案层之间，金属反射层为连续金属薄膜，其厚度大于太赫兹波的趋肤深度，金属图案层由周期性排列的单元器件构成，单元器件为多个同心金属环，其中相邻单环的吸收带宽部分重叠，形成太赫兹波段宽带吸收。本发明提供的太赫兹波段宽带吸收材料，大大提高了超材料周期结构的占空比及平均吸收率，并可通过增减同心金属环的数量实现太赫兹波段吸收的带宽控制，调整吸收带宽方便灵活、图形结构简单、不需要多层材料堆叠、周期小、制作精度要求低、便于批量生产。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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