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一种套刻测量的装置和方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201310041151.7
  • IPC分类号:G03F7/20
  • 申请日期:
    2013-02-04
  • 申请人:
    上海微电子装备有限公司
著录项信息
专利名称一种套刻测量的装置和方法
申请号CN201310041151.7申请日期2013-02-04
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日2014-08-06公开/公告号CN103969960A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G03F7/20IPC分类号G;0;3;F;7;/;2;0查看分类表>
申请人上海微电子装备有限公司申请人地址
上海市浦东新区张江高科技园区张东路1525号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海微电子装备(集团)股份有限公司当前权利人上海微电子装备(集团)股份有限公司
发明人张青云;陆海亮;王帆
代理机构北京连和连知识产权代理有限公司代理人王光辉
摘要
一种套刻测量装置,依次包括:光源、偏振调节机构、分束镜、投影物镜和探测器,从所述光源发出的光经所述偏振调节机构调节偏振模式后入射至所述分束镜,由所述分束镜反射后被所述投影物镜会聚到待测套刻标记上,从所述套刻标记衍射的光由所述投影物镜收集后透射穿过所述分束镜并成像到所述探测器的探测面上;其特征在于,所述偏振调节机构可将所述光源发出的光调节为不同的偏振模式。利用本发明的装置进行测量时,在入射光的不同偏振模式下分别采集标记的衍射光强信号,利用两次测得的光强的比值,即自参考信号来计算套刻误差,消除了eDBO测量过程中照明、透过率和探测器像素灵敏度非均匀性对测量结果的影响。相比传统方法,该方法可实现更高的测量精度。

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