一种介质层为阳极氧化膜的薄膜电容器的制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201410531700.3
IPC分类号：H01G13/00
申请日期：
2014-10-10
申请人：
中国电子科技集团公司第四十一研究所

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著录项信息

专利名称	一种介质层为阳极氧化膜的薄膜电容器的制造方法
申请号	CN201410531700.3	申请日期	2014-10-10
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2015-02-04	公开/公告号	CN104332330A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01G13/00 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01G 电容器；电解型的电容器、整流器、检波器、开关器件、光敏器件或热敏器件（电介质专用材料的选择入H01B 3/00；电位跃迁或表面阻挡层的电容器入H01L 29/00） H01G13/00 制造电容器的专用设备；H01G4/00-H01G11/00组中不包含的电容器的专用制造方法〔2〕	IPC分类号	H;0;1;G;1;3;/;0;0查看分类表>
申请人	中国电子科技集团公司第四十一研究所	申请人地址	山东省青岛市黄岛区香江路98号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中电科思仪科技股份有限公司	当前权利人	中电科思仪科技股份有限公司
发明人	宋振国;王斌;路波;曹乾涛;胡莹璐
代理机构	济南圣达知识产权代理有限公司	代理人	张勇

摘要

本发明公开了一种介质层为阳极氧化膜的薄膜电容器的制造方法，包括以下步骤：准备基片，在所述基片上沉积一层金属或金属化物薄膜；使用光刻腐蚀工艺将薄膜图形化，形成下电极和第一下电极引出线；在其上涂抹光刻胶，通过光刻工艺形成阳极氧化掩模；阳极氧化下电极，形成介质层；去除光刻胶，在基片上沉积电极层，通过光刻腐蚀工艺将电极层图形化，形成第二下电极引出线、上电极和上电极引出线。本发明所需制造设备和工艺简单，制造成本低，电容值和耐压值的大小易于调整，具有良好的电学特性。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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