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半导体器件的形成方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202110877901.9
  • IPC分类号:H01L21/768;H01L21/762
  • 申请日期:
    2021-07-30
  • 申请人:
    上海华虹宏力半导体制造有限公司
著录项信息
专利名称半导体器件的形成方法
申请号CN202110877901.9申请日期2021-07-30
法律状态公开申报国家中国
公开/公告日2021-11-05公开/公告号CN113611660A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/768IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;7;6;8;;;H;0;1;L;2;1;/;7;6;2查看分类表>
申请人上海华虹宏力半导体制造有限公司申请人地址
上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海华虹宏力半导体制造有限公司当前权利人上海华虹宏力半导体制造有限公司
发明人刘张李;陈志伟
代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)代理人周耀君
摘要
本发明提供一种半导体器件的形成方法,在所述的半导体器件的形成方法中,浅沟槽隔离结构仅形成于半导体层中,如此在形成浅沟槽隔离结构时,可避免对半导体层与基底之间的绝缘层进行刻蚀,可减少副产物。并且硬掩膜层形成于浅沟槽隔离结构形成之后,如此,在形成浅沟槽隔离结构时,无需对所述硬掩膜层进行刻蚀,即在形成第一导电插塞之前,无需对所述硬掩膜层和所述绝缘层进行刻蚀,从而可避免因刻蚀所述硬掩膜层和所述绝缘层而产生副产物,由此避免因所述副产物而造成的第一导电插塞短路的问题。并且,由于在形成第一导电插塞之前,无需对所述硬掩膜层和所述绝缘层进行刻蚀,从而可简化工艺步骤,节省工艺时间。

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