金膜微电极阵列及其制作方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201410280120.1
IPC分类号：G01N27/30;G01N27/327
申请日期：
2014-06-20
申请人：
首都师范大学

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著录项信息

专利名称	金膜微电极阵列及其制作方法
申请号	CN201410280120.1	申请日期	2014-06-20
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2014-09-10	公开/公告号	CN104034773A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01N27/30 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01N （除免疫测定法以外包括酶或微生物的测量或试验入C12M，C12Q） G01N27/00 用电、电化学或磁的方法测试或分析材料（G01N 3/00至G01N 25/00优先；电或磁变量的测量或试验，材料的电磁性能的测试或试验入G01R） G01N27/26 通过测试电化学变量；用电解或电泳法〔5〕 G01N27/28 电解池部件 G01N27/30 电极，例如测试电极；半电池（G01N 27/414优先）〔5〕	IPC分类号	G;0;1;N;2;7;/;3;0;;;G;0;1;N;2;7;/;3;2;7查看分类表>
申请人	首都师范大学	申请人地址	北京市海淀区西三环北路105号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	首都师范大学	当前权利人	首都师范大学
发明人	林雨青;徐亚男;李琳;黎琳波;胡良璐;陈箫
代理机构	北京纪凯知识产权代理有限公司	代理人	关畅

摘要

本发明公开了一种制备金膜微电极及微电极阵列及其制作方法。该方法首先在羟基化后的毛细管内壁自组装上氨基硅烷，然后利用氨基与纳米金的静电作用组装上单层金溶胶纳米粒子,最后在管内缓慢注入含有氯金酸和盐酸羟胺的化学镀液生长金薄膜。基于湿法沉积制备金膜微电极及微电极阵列，无需热源，简单易行，尺寸可控，避免热裂解碳源制备微电极阵列的潜在易燃易爆风险，可在不同大小和形状的玻璃或者毛细管内壁形成连续均匀和厚度可控的金层。该方法所制备的单根微电极及含三个微电极的电极阵列可潜在应用于细胞表面化学释放的微区分析，将对了解细胞表面动力学，深刻理解细胞的表面生理状态、过程和机制发挥重要的作用。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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