具有高精度的数据读出结构的薄膜磁体存储装置

发明专利无效专利

申请号：
CN02131598.1
IPC分类号：G11C11/15
申请日期：
2002-09-10
申请人：
三菱电机株式会社;三菱电机工程株式会社

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著录项信息

专利名称	具有高精度的数据读出结构的薄膜磁体存储装置
申请号	CN02131598.1	申请日期	2002-09-10
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2003-08-13	公开/公告号	CN1435842
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C11/15 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C11/00 以使用特殊的电或磁存储元件为特征而区分的数字存储器；为此所用的存储元件（G11C 14/00至G11C 21/00优先）〔5〕 G11C11/02 应用磁性元件的 G11C11/14 应用薄膜元件的 G11C11/15 应用多层磁性层的（G11C 11/155优先）〔2〕	IPC分类号	G;1;1;C;1;1;/;1;5查看分类表>
申请人	三菱电机株式会社;三菱电机工程株式会社	申请人地址	日本东京都变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	三菱电机株式会社,三菱电机工程株式会社	当前权利人	三菱电机株式会社,三菱电机工程株式会社
发明人	谷崎弘晃;日高秀人;大石司
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	马铁良;叶恺东

摘要

在数据读出时，被选择的存储单元(MC)及比较单元(MC#)通过互补的第1及第2位线(BL，/BL)，分别与互补的第1及第2数据线(DIO，/DIO)连接。差动放大器(60)向互补的第1及第2数据总线(DB，/DB)提供存储单元(MC)及比较单元(MC#)的通过电流，同时对与存储单元(MC)及比较单元(MC#)的电阻差对应产生的第1及第2数据总线(DB，/DB)的通过电流差进行放大，在第1及第2节点(No，/No)之间产生具有与选择存储单元的存储数据的电平对应的极性的电压差(ΔV)。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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