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一种sic肖特基二极管

实用新型专利有效专利
  • 申请号:
    CN202022565393.4
  • IPC分类号:H01L23/32;H01L23/48
  • 申请日期:
    2020-11-09
  • 申请人:
    无锡鑫泽半导体科技有限公司
著录项信息
专利名称一种sic肖特基二极管
申请号CN202022565393.4申请日期2020-11-09
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日公开/公告号
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L23/32IPC分类号H;0;1;L;2;3;/;3;2;;;H;0;1;L;2;3;/;4;8查看分类表>
申请人无锡鑫泽半导体科技有限公司申请人地址
江苏省无锡市锡山区凤威路2号赛维拉广场2号楼309室 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人无锡鑫泽半导体科技有限公司当前权利人无锡鑫泽半导体科技有限公司
发明人蒋高喜;肖步文
代理机构嘉兴启帆专利代理事务所(普通合伙)代理人金亚丁
摘要
本实用新型公开了一种sic肖特基二极管,涉及到肖特基二极管技术领域,包括连接块,连接块的中部两侧均开设有圆形槽,圆形槽的两端内壁均开设有插槽,圆形槽的内壁与插槽的内壁之间设置有圆角,插槽的一端内壁的一侧开设有连接孔,连接块的两端面均开设有置物槽,连接孔与置物槽连通,置物槽的内壁粘接连接有海绵垫。本实用新型通过在圆形槽的两侧内壁均开设有插槽,圆形槽的中部贯穿开设有滑孔,滑孔的内腔设置有金属杆,将阴极引脚和阳极引脚插入插槽的内腔,再滑动金属杆并对阴极引脚和阳极引脚进行挤压,从而使得两个阴极引脚和两个阳极引脚能够分别与两个金属杆紧密贴合,因此本装置使用时更加简单,连接更加紧密。

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