红外线吸收体及热型红外线检测器

发明专利无效专利

申请号：
CN200780003604.X
IPC分类号：G01J1/02;G01J1/04;H01L27/14;H01L35/32;B32B7/02;B32B9/00
申请日期：
2007-01-24
申请人：
浜松光子学株式会社

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著录项信息

专利名称	红外线吸收体及热型红外线检测器
申请号	CN200780003604.X	申请日期	2007-01-24
法律状态	权利终止	申报国家	暂无
公开/公告日	2009-02-25	公开/公告号	CN101375140
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01J1/02 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01J 红外光、可见光、紫外光的强度、速度、光谱成分，偏振、相位或脉冲特性的测量；比色法；辐射高温测定法〔2〕 G01J1/00 光度测定法，例如照相的曝光表（分光光度测定法入G01J 3/00；专用于辐射高温测定法的入G01J 5/00） G01J1/02 零部件	IPC分类号	G;0;1;J;1;/;0;2;;;G;0;1;J;1;/;0;4;;;H;0;1;L;2;7;/;1;4;;;H;0;1;L;3;5;/;3;2;;;B;3;2;B;7;/;0;2;;;B;3;2;B;9;/;0;0查看分类表>
申请人	浜松光子学株式会社	申请人地址	日本静冈县变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	浜松光子学株式会社	当前权利人	浜松光子学株式会社
发明人	尾岛史一;铃木顺;北浦隆介
代理机构	北京尚诚知识产权代理有限公司	代理人	龙淳

摘要

红外线吸收膜(2)，具备：含有TiN的第一层(21)，及含有Si系化合物的第二层(22)，将从第二层(22)侧入射的红外线的能量变换成热。TiN对比8μm短的波长区域的红外线的吸收率高，另一方面对比8μm长的波长区域的红外线反射率高。因此，在将对长波长区域的红外线的吸收率优异的Si系化合物层层叠在TiN层上时，则可使TiN层中吸收率低的波长区域的红外线在Si系化合物层适当地吸收，同时，可对要透过Si系化合物层的红外线在TiN层的界面反射而回到Si系化合物层。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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