一种原位双层包覆硅碳负极材料及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201810553712.4
IPC分类号：H01M4/36;H01M4/38;H01M4/62;H01M10/0525
申请日期：
2018-05-30
申请人：
天津巴莫科技股份有限公司

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著录项信息

专利名称	一种原位双层包覆硅碳负极材料及其制备方法
申请号	CN201810553712.4	申请日期	2018-05-30
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2018-10-30	公开/公告号	CN108717973A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01M4/36 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01M 用于直接转变化学能为电能的方法或装置，例如电池组〔2〕（一般电化学的方法或装置入C25；用于转变光或热为电能的半导体或其他固态器件入H01L，例如H01L 31/00，H01L 35/00，H01L 37/00）〔2〕 H01M4/00 电极〔2〕 H01M4/02 由活性材料组成或包括活性材料的电极〔2〕 H01M4/36 作为活性物质、活性体、活性液体的材料的选择〔2〕	IPC分类号	H;0;1;M;4;/;3;6;;;H;0;1;M;4;/;3;8;;;H;0;1;M;4;/;6;2;;;H;0;1;M;1;0;/;0;5;2;5查看分类表>
申请人	天津巴莫科技股份有限公司	申请人地址	天津市滨海新区华苑产业园区（环外）海泰大道8号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	天津巴莫科技股份有限公司	当前权利人	天津巴莫科技股份有限公司
发明人	宋英杰;徐宁;伏萍萍;马倩倩
代理机构	天津才智专利商标代理有限公司	代理人	暂无

摘要

本发明公开了一种原位双层包覆硅碳负极材料及其制备方法，通过亚微米硅和含有羟基的有机溶剂在加热的条件下进行预反应，在亚微米级硅表面原位生成一层致密的二氧化硅包覆层；通过加热溶解以及喷雾干燥等工艺得到有机碳源均匀包覆的粉料；然后通过低温焙烧的方式，保证碳的原位包覆效果，有效避免高温焙烧过程中由于有机碳源软化而导致硅颗粒的黏连烧结，避免后续粉碎过程中对硅包覆层的破坏；最后通过和石墨类负极材料均匀混合以及高温焙烧碳化等手段得到最终产品。本发明包覆层均匀致密不仅可以提高复合材料的电子导电性，而且可以抑制硅的体积膨胀；且由于低温焙烧工艺的引入，抑制了硅颗粒的黏连和烧结；操作简单，成本低廉，适用于产业化生产。

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