加载中...
首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

多值忆阻器、多值忆阻器阵列及其制备工艺

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202010734299.9
  • IPC分类号:H01L45/00;H01L27/24
  • 申请日期:
    2020-07-27
  • 申请人:
    江苏集萃脑机融合智能技术研究所有限公司
著录项信息
专利名称多值忆阻器、多值忆阻器阵列及其制备工艺
申请号CN202010734299.9申请日期2020-07-27
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2020-09-25公开/公告号CN111710779A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L45/00IPC分类号H;0;1;L;4;5;/;0;0;;;H;0;1;L;2;7;/;2;4查看分类表>
申请人江苏集萃脑机融合智能技术研究所有限公司申请人地址
江苏省苏州市相城区青龙港路58号天成时代商务广场31层 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人江苏集萃脑机融合智能技术研究所有限公司当前权利人江苏集萃脑机融合智能技术研究所有限公司
发明人程传同;李刘杰;陈弘达;黄北举;毛旭瑞
代理机构苏州三英知识产权代理有限公司代理人黄晓明
摘要
本发明提供了一种多值忆阻器、多值忆阻器阵列及其制备工艺,包括衬底,相对设置于衬底上的第一电极以及第二电极,所述多值忆阻器还包括设置于衬底上的功能层,所述功能层位于第一电极以及第二电极之间,且第一电极以及第二电极和功能层接触连接,所述第一电极以及第二电极各自包括相对且接近的前端以及互相远离的后端,其中第一电极和/或第二电极自其前端至后端的宽度呈递增趋势。本发明设计具有前窄后宽的忆阻器电极对有助于降低忆阻器导电丝形成的随机性,提高了忆阻器的一致性;导电细丝的个数和外加电压有关,增加了忆阻器的电阻状态数;基于导电丝的忆阻器具有很好的非易失性。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供