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半导体制冷装置的控制方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201611119521.4
  • IPC分类号:F25B21/04;F25D11/00;F25D19/04;F25D29/00
  • 申请日期:
    2016-12-08
  • 申请人:
    青岛海尔股份有限公司
著录项信息
专利名称半导体制冷装置的控制方法
申请号CN201611119521.4申请日期2016-12-08
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日2017-05-31公开/公告号CN106766349A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号F25B21/04IPC分类号F;2;5;B;2;1;/;0;4;;;F;2;5;D;1;1;/;0;0;;;F;2;5;D;1;9;/;0;4;;;F;2;5;D;2;9;/;0;0查看分类表>
申请人青岛海尔股份有限公司申请人地址
山东省青岛市崂山区海尔路1号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人海尔智家股份有限公司当前权利人海尔智家股份有限公司
发明人贾振飞;王海娟;戴建斌;李鹏;朱小兵
代理机构苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙)代理人杨林洁
摘要
本发明提供了一种半导体制冷装置的控制方法,所述半导体制冷装置的控制方法包括:S1:提供半导体制冷装置,所述半导体制冷装置包括制冷间室和用以给所述制冷间室制冷的制冷系统,所述制冷系统包括:至少三个半导体制冷片、控制系统和检测单元;S2:设置预设温度T0;S3:所述检测单元检测间室温度T1和室外温度T2并传送至控制系统;S4:所述控制系统根据预设温度T0与室外温度T2的第一差值∆T1或者间室温度T1与室外温度T2的第二差值∆T2以控制不同数量的半导体制冷片工作。本发明的半导体制冷装置的控制方法,根据预设温度T0、间室温度T1、室外温度T2从而选择合适数量的半导体制冷片工作,实现节能效果。

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