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蚀刻被蚀刻层的方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201510239773.X
  • IPC分类号:H01L21/311
  • 申请日期:
    2015-05-12
  • 申请人:
    东京毅力科创株式会社
著录项信息
专利名称蚀刻被蚀刻层的方法
申请号CN201510239773.X申请日期2015-05-12
法律状态授权申报国家暂无
公开/公告日2015-11-25公开/公告号CN105097498A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/311
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;3;1;1查看分类表>
申请人东京毅力科创株式会社申请人地址
日本东京都 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人东京毅力科创株式会社当前权利人东京毅力科创株式会社
发明人广津信;五十岚義树;三轮智典;冈田宏志
代理机构北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)代理人刘新宇;李茂家
摘要
提供蚀刻被蚀刻层的方法。课题是降低在被蚀刻层形成的多个开口的宽度的差异。该方法包括:(a)在设置于被蚀刻层上的包含有机膜的掩模层上使等离子体反应产物沉积的第1工序、和(b)在第1工序之后,对被蚀刻层进行蚀刻的第2工序。掩模层具有粗区域和密区域。在粗区域形成了多个开口。密区域包围粗区域且掩模在该密区域比在粗区域密集地存在。粗区域包含第1区域和第2区域。第2区域为比第1区域接近密区域的区域。在该方法的第1工序中,第1区域中的开口的宽度比第2区域中的开口的宽度变窄。

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