一种抑制闩锁效应的CMOS集成电路芯片及制备工艺

发明专利有效专利

申请号：
CN202110663159.1
IPC分类号：H01L27/092;H01L29/10;H01L21/8238
申请日期：
2021-06-15
申请人：
西安微电子技术研究所

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著录项信息

专利名称	一种抑制闩锁效应的CMOS集成电路芯片及制备工艺
申请号	CN202110663159.1	申请日期	2021-06-15
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-09-17	公开/公告号	CN113410232A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L27/092 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L27/00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件（其零部件入H01L 23/00，H01L 29/00至H01L 51/00；由多个单个固态器件组成的组装件入H01L 25/00）〔2，8〕 H01L27/02 包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的〔2〕 H01L27/04 其衬底为半导体的〔2〕 H01L27/08 只包括有一种半导体组件的〔2〕 H01L27/085 只包含场效应的组件〔5〕 H01L27/088 有绝缘栅场效应晶体管的组件〔5〕 H01L27/092 互补MIS场效应晶体管〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;7;/;0;9;2;;;H;0;1;L;2;9;/;1;0;;;H;0;1;L;2;1;/;8;2;3;8查看分类表>
申请人	西安微电子技术研究所	申请人地址	陕西省西安市雁塔区太白南路198号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	西安微电子技术研究所	当前权利人	西安微电子技术研究所
发明人	任永宁;刘如征;杨永峰;葛洪磊;刘存生;刘依思;李钊
代理机构	西安通大专利代理有限责任公司	代理人	马贵香

摘要

本发明提供一种抑制闩锁效应的CMOS集成电路芯片及制备工艺，包括N型衬底，N型衬底的上表面埋有N埋层和P埋层，N型衬底向上延伸有N型外延层，N型外延层覆盖N埋层和P埋层，P埋层上设有P阱。本发明对于CMOS集成电路，在N型衬底上形成N埋层和P埋层，再进行外延工艺，通过埋层与外延工艺，能降低衬底的寄生电阻R1、R2，降低了寄生晶体管NPN、PNP的电流增益，提高闩锁效应的触发电流阈值及降低寄生晶体管的电流增益，抑制闩锁效应的发生更为有效。

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