晶穴朝下晶片封装构造及其制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200910137256.6
IPC分类号：H01L23/13;H01L23/482;H01L23/48;H01L23/488
申请日期：
2005-08-17
申请人：
南茂科技股份有限公司;百慕达南茂科技股份有限公司

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专利名称	晶穴朝下晶片封装构造及其制造方法
申请号	CN200910137256.6	申请日期	2005-08-17
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2009-09-30	公开/公告号	CN101546735
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/13 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/12 安装架，例如不可拆卸的绝缘衬底〔2〕 H01L23/13 按形状特点进行区分的〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;1;3;;;H;0;1;L;2;3;/;4;8;2;;;H;0;1;L;2;3;/;4;8;;;H;0;1;L;2;3;/;4;8;8查看分类表>
申请人	南茂科技股份有限公司;百慕达南茂科技股份有限公司	申请人地址	中国台湾新竹变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	南茂科技股份有限公司,百慕达南茂科技股份有限公司	当前权利人	南茂科技股份有限公司,百慕达南茂科技股份有限公司
发明人	黄祥铭;赵永清;李宜璋;刘安鸿
代理机构	北京中原华和知识产权代理有限责任公司	代理人	寿宁;张华辉

摘要

本发明是有关于一种晶穴朝下晶片封装构造及其制造方法。该晶穴朝下晶片封装构造的制造方法，首先所提供的晶片载体是具有一平坦面以及多个开口朝向该平坦面的晶穴，再设置多个晶片于该些晶穴。之后，将一电路基板贴设于该晶片载体的该平坦面，该电路基板是具有多个接球垫。再设置多个电性导接元件，以电性连接该些晶片与该电路基板，之后设置多个焊球于该电路基板的该些接球垫。最后，切割该晶片载体，以形成多个晶穴朝下晶片封装构造，以达到大量生产的功效。此外，可藉由该电路基板缩短该些晶片的电性传输路径，而可提升电性传输效率。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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