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一种TSV结构及其制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202011329699.8
  • IPC分类号:H01L23/528;H01L23/367;H01L23/373;H01L21/768
  • 申请日期:
    2020-11-24
  • 申请人:
    复旦大学;上海集成电路制造创新中心有限公司
著录项信息
专利名称一种TSV结构及其制备方法
申请号CN202011329699.8申请日期2020-11-24
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2021-03-09公开/公告号CN112466846A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L23/528IPC分类号H;0;1;L;2;3;/;5;2;8;;;H;0;1;L;2;3;/;3;6;7;;;H;0;1;L;2;3;/;3;7;3;;;H;0;1;L;2;1;/;7;6;8查看分类表>
申请人复旦大学;上海集成电路制造创新中心有限公司申请人地址
上海市杨浦区邯郸路220号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人复旦大学,上海集成电路制造创新中心有限公司当前权利人复旦大学,上海集成电路制造创新中心有限公司
发明人朱宝;陈琳;孙清清;张卫
代理机构上海恒锐佳知识产权代理事务所(普通合伙)代理人暂无
摘要
本发明提供了一种TSV结构及其制备方法,所述TSV结构包括衬底结构;通孔结构,所述通孔结构设置在所述衬底结构内部并上下贯穿所述衬底结构;嵌入层,所述嵌入层设置在所述通孔结构内壁并插入所述衬底结构内部;化合物层,所述化合物层设置在所述通孔结构内壁,所述化合物层与所述嵌入层的接触部位设置有反应生成层;金属互连结构,所述金属互连结构设置在所述通孔结构内壁;其中,所述金属互连结构顶端设置有顶部金属接触层,所述金属互连结构底端设置有底部金属接触层,本发明的TSV结构不仅能够实现芯片之间的快速互连,而且具有良好的散热效果,有效提高了TSV结构的性能。

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