具有多晶硅化物的表面沟道CMOS器件及其制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201110344688.1
IPC分类号：H01L27/092;H01L29/47
申请日期：
2011-11-04
申请人：
上海华虹NEC电子有限公司

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著录项信息

专利名称	具有多晶硅化物的表面沟道CMOS器件及其制造方法
申请号	CN201110344688.1	申请日期	2011-11-04
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2013-05-08	公开/公告号	CN103094280A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L27/092 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L27/00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件（其零部件入H01L 23/00，H01L 29/00至H01L 51/00；由多个单个固态器件组成的组装件入H01L 25/00）〔2，8〕 H01L27/02 包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的〔2〕 H01L27/04 其衬底为半导体的〔2〕 H01L27/08 只包括有一种半导体组件的〔2〕 H01L27/085 只包含场效应的组件〔5〕 H01L27/088 有绝缘栅场效应晶体管的组件〔5〕 H01L27/092 互补MIS场效应晶体管〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;7;/;0;9;2;;;H;0;1;L;2;9;/;4;7查看分类表>
申请人	上海华虹NEC电子有限公司	申请人地址	变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海华虹宏力半导体制造有限公司	当前权利人	上海华虹宏力半导体制造有限公司
发明人	钱文生
代理机构	上海浦一知识产权代理有限公司	代理人	丁纪铁

摘要

本发明公开了一种具有多晶硅化物的表面沟道CMOS器件，包括有表面沟道的PMOS器件，该PMOS器件的栅极由p型掺杂的第一多晶硅层及其之上的n型掺杂的第二多晶硅层组成，在第二多晶硅层的表面形成有多晶硅化物，所述第二多晶硅层的掺杂浓度大于第一多晶硅层。本发明还公开了其制造方法。对PMOS而言，是由n型多晶硅和p型多晶硅的复合结构构成栅极。一方面，由于和PMOS的栅氧化层接触的是p型多晶硅栅，保证了表面沟道PMOS特性的实现，另一方面，在p型多晶硅上方叠加了n型多晶硅，又确保了其和多晶硅化物的良好欧姆接触，实现表面沟道PMOS器件的多晶硅化物制造。对CMOS而言，其栅极由两个n型多晶硅叠加形成，对其性能并无影响。

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