一种适用于碱抛激光选择性发射极的新型工艺

发明专利有效专利

申请号：
CN201910725073.X
IPC分类号：H01L31/18;H01L31/0236
申请日期：
2019-08-07
申请人：
山西潞安太阳能科技有限责任公司

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专利名称	一种适用于碱抛激光选择性发射极的新型工艺
申请号	CN201910725073.X	申请日期	2019-08-07
法律状态	实质审查	申报国家	暂无
公开/公告日	2019-11-15	公开/公告号	CN110459646A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L31/18 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L31/058 （转入H01L 31/0525，H02S 40/44） H01L31/18 专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;1;/;1;8;;;H;0;1;L;3;1;/;0;2;3;6查看分类表>
申请人	山西潞安太阳能科技有限责任公司	申请人地址	山西省长治市郊区漳泽新型工业园区变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	山西潞安太阳能科技有限责任公司	当前权利人	山西潞安太阳能科技有限责任公司
发明人	杨飞飞;鲁贵林;赵科巍;张波;张尧;吕爱武;杜泽霖;李陈阳;郭丽;董建明;邓铭
代理机构	太原市科瑞达专利代理有限公司	代理人	李富元

摘要

本发明涉及碱抛激光选择性发射极领域。一种适用于碱抛激光选择性发射极的新型工艺，整体工艺按照，制绒—扩散制结—去背PSG+碱抛—前表面激光掺杂—扩散推进+氧化—正面氮化硅膜—背面氮化硅膜—背面开膜—印刷；在扩散制结过程中，首先进行磷源沉积，沉积压力100‑120mbar，沉积温度780‑800℃，通大氮流量800‑1000sccm，携磷源小氮流量600‑800sccm，氧气流量550‑650sccm，沉积时间15‑18min，低温推进PN结，推进压力100‑120mbar，温度800‑830℃，通大氮流量1400‑1600 sccm，通氧气流量450‑650sccm，时间5‑8min。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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