半导体芯片缺陷定位方法和定位模块

发明专利有效专利

申请号：
CN202011362183.3
IPC分类号：G01N21/01;G01N21/95
申请日期：
2020-11-27
申请人：
上海华力微电子有限公司

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著录项信息

专利名称	半导体芯片缺陷定位方法和定位模块
申请号	CN202011362183.3	申请日期	2020-11-27
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-02-26	公开/公告号	CN112414943A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01N21/01 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01N （除免疫测定法以外包括酶或微生物的测量或试验入C12M，C12Q） G01N21/00 利用光学手段，即利用红外光、可见光；或紫外光来测试或分析材料（G01N 3/00至G01N 19/00优先） G01N21/01 便于进行光学测试的装置或仪器〔3〕	IPC分类号	G;0;1;N;2;1;/;0;1;;;G;0;1;N;2;1;/;9;5查看分类表>
申请人	上海华力微电子有限公司	申请人地址	上海市浦东新区高斯路568号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海华力微电子有限公司	当前权利人	上海华力微电子有限公司
发明人	叶林
代理机构	上海浦一知识产权代理有限公司	代理人	暂无

摘要

本发明公开了半导体芯片缺陷定位方法，包括若不是合die扫描程式确认die内cell区域pitch，将自对准十字定位到die corner的位置，将自对准十字原点到die corner的距离表示为X*Y；若是合die扫描程式获取合die的合叠尺寸M*N，通过GDS确认单个die的尺寸A*B，将自对准十字原点在M*N区间中移动mA*nB的距离；通过X*Y定义聚焦尺寸，在X*Y区域内移动扫描镜头；将所有移动扫描镜头拍摄图像叠加计算pitch灰阶值均值为α；当其中某张pitch图像灰阶值与灰阶值均值α的差值大于阈值时，移动扫描镜头到该pitch图像位置，通过SEM图像手动确定是否为缺陷信号；若是缺陷信号，则选择该pitch为缺陷坐标原点设定位置；若不是缺陷信号，则继续选择下一张的pitch图像手动确定是否为缺陷信号，直到缺陷的pitch图像出现。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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