加载中...
首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

半导体结构及其制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201910184346.4
  • IPC分类号:H01L29/778;H01L29/66
  • 申请日期:
    2019-03-12
  • 申请人:
    苏州汉骅半导体有限公司
著录项信息
专利名称半导体结构及其制造方法
申请号CN201910184346.4申请日期2019-03-12
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2019-06-14公开/公告号CN109888011A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/778
?
IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;7;8;;;H;0;1;L;2;9;/;6;6查看分类表>
申请人苏州汉骅半导体有限公司申请人地址
江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区11幢303室 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人苏州汉骅半导体有限公司当前权利人苏州汉骅半导体有限公司
发明人倪贤锋;范谦;何伟
代理机构暂无代理人暂无
摘要
本发明涉及一种半导体结构,包括:衬底和位于所述衬底上的缓冲层;位于所述缓冲层源极区域与漏极区域上的掺杂层;位于所述缓冲层上且位于所述掺杂层之间的第一异质结构;位于所述第一异质结构上的栅极以及位于在所述第一异质结构上且位于所述栅极相对两侧的至少一个异质结构。本申请所提出的半导体结构及其制造方法,通过形成多个异质结构从而形成多条并联的导电沟道,减少了器件的导通电阻。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供