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一种覆晶芯片结构

实用新型专利有效专利

申请号：
CN202022221817.5
IPC分类号：H01L23/367;H01L23/373
申请日期：
2020-10-09
申请人：
矽品科技（苏州）有限公司

基础信息

权利要求

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种覆晶芯片结构
申请号	CN202022221817.5	申请日期	2020-10-09
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/367 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/34 冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置〔2，5〕 H01L23/36 为便于冷却或加热对材料或造型的选择，例如散热器〔2〕 H01L23/367 为便于冷却的器件造型〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;3;6;7;;;H;0;1;L;2;3;/;3;7;3查看分类表>
申请人	矽品科技（苏州）有限公司	申请人地址	江苏省苏州市工业园区凤里街288号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	矽品科技（苏州）有限公司	当前权利人	矽品科技（苏州）有限公司
发明人	成立鹏;薛敏;戴俊;孙俊杰
代理机构	南京苏科专利代理有限责任公司	代理人	蒋慧妮

摘要

本实用新型提供了一种覆晶芯片结构，包括线路板及设置于线路板上方的芯片本体，所述芯片本体与所述线路之间设置有金属凸块键合，所述芯片本体上表面设置有散热片，所述散热片与所述芯片本体之间设置有粘结散热胶层。本实用新型的结构解决了FCCSP产品封装过程中聚合物散热性不良和散热片偏移及覆盖度不足的问题，为小尺寸芯片器件封装提供了一种简易的封装结构。

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