二次先镀后蚀金属框减法埋芯片正装凸点结构及工艺方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201310645452.0
IPC分类号：H01L23/495;H01L23/498;H01L21/60
申请日期：
2013-12-05
申请人：
江苏长电科技股份有限公司

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专利名称	二次先镀后蚀金属框减法埋芯片正装凸点结构及工艺方法
申请号	CN201310645452.0	申请日期	2013-12-05
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2014-03-19	公开/公告号	CN103646939A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/495 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/48 用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置〔2〕 H01L23/488 由焊接或黏结结构组成〔5，8〕 H01L23/495 引线框架的〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;4;9;5;;;H;0;1;L;2;3;/;4;9;8;;;H;0;1;L;2;1;/;6;0查看分类表>
申请人	江苏长电科技股份有限公司	申请人地址	江苏省无锡市江阴市澄江镇长山路78号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	江苏长电科技股份有限公司	当前权利人	江苏长电科技股份有限公司
发明人	梁志忠;梁新夫;王亚琴
代理机构	江阴市同盛专利事务所（普通合伙）	代理人	唐纫兰

摘要

本发明涉及一种二次先镀后蚀金属框减法埋芯片正装凸点结构及工艺方法，所述结构包括金属基板框（1），所述金属基板框（1）内部设置有基岛（2）和引脚（3），所述基岛（2）背面与引脚（3）的台阶面齐平，所述引脚（3）的台阶面上设置有金属层（4），所述基岛（2）背面正装有芯片（6），所述芯片（6）表面与金属层（4）表面之间通过金属线（7）相连接，所述金属基板框（1）内部区域填充有塑封料（8），所述塑封料（8）正面与引脚（3）台阶面齐平，所述塑封料（8）背面与金属基板框（1）背面齐平，所述基岛（2）正面、引脚（3）的正面和背面以及金属基板框（1）的正面和背面设置有抗氧化层（9），所述引脚（3）背面设置有金属球（10）。本发明的有益效果是：它能够解决传统金属引线框无法埋入物件而限制金属引线框的功能性和应用性能。

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