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硬质材质半导体元器件的金属钌薄膜的制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201110158582.2
IPC分类号：C23C14/16;C23C14/35;C23C14/02
申请日期：
2011-06-14
申请人：
星弧涂层科技（苏州工业园区）有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	硬质材质半导体元器件的金属钌薄膜的制备方法
申请号	CN201110158582.2	申请日期	2011-06-14
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2012-01-25	公开/公告号	CN102330057A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C23C14/16 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕 C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆（挤压法制造包覆金属的产品入B21C23/22；通过将预先存在的薄层连接到制品上的方法用金属进行镀覆处理的见各有关位置，例如B21D39/00，B23K；玻璃的金属化入C03C；砂浆、混凝土、人造石、陶瓷或天然石的金属化入C04B41/00；金属的搪瓷或向金属上镀覆玻璃体层入c23D；用电解法或电泳法处理金属表面或镀覆金属入C25D；单晶膜生长入C30B；纺织品的金属化入D06M11/83；用局部金属化法装饰纺织品入D06Q1/04）〔4〕 C23C14/00 通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆〔4，2006.01〕 C23C14/06 以镀层材料为特征的（C23C 14/04优先）〔4〕 C23C14/14 金属材料、硼或硅〔4〕 C23C14/16 在金属基体或在硼或硅基体上〔4〕	IPC分类号	C;2;3;C;1;4;/;1;6;;;C;2;3;C;1;4;/;3;5;;;C;2;3;C;1;4;/;0;2查看分类表>
申请人	星弧涂层科技（苏州工业园区）有限公司	申请人地址	变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	星弧涂层科技（苏州工业园区）有限公司,星弧涂层新材料科技（苏州）股份有限公司	当前权利人	星弧涂层科技（苏州工业园区）有限公司,星弧涂层新材料科技（苏州）股份有限公司
发明人	钱涛
代理机构	南京苏科专利代理有限责任公司	代理人	陆明耀;陈忠辉

摘要

本发明提供了一种硬质金属材质半导体元器件的金属钌薄膜的制备方法，运用了两种技术，分别为用于实现产品均匀粗糙度的反应离子刻蚀技术和用于金属钌涂层沉积的磁控溅射技术。本发明的有益效果主要体现在：与传统的工艺相比，新的工艺方法只需要在一个设备中完成；而且硬质金属材质半导体元器件的表面粗糙度非常均匀；成本低，而且无污染环境之危害。

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