图像传感器像素及其操作方法及图像传感器

发明专利有效专利

申请号：
CN201210264628.3
IPC分类号：H01L27/146;H04N5/374
申请日期：
2012-07-27
申请人：
普廷数码影像控股公司

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引证文献

著录项信息

专利名称	图像传感器像素及其操作方法及图像传感器
申请号	CN201210264628.3	申请日期	2012-07-27
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2013-06-19	公开/公告号	CN103165631A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L27/146 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L27/00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件（其零部件入H01L 23/00，H01L 29/00至H01L 51/00；由多个单个固态器件组成的组装件入H01L 25/00）〔2，8〕 H01L27/14 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的（只与一个或多个电光源在结构上相结合的辐射敏感元件入H01L 31/14；光导与光电元件的耦合入G02B 6/42）〔2〕 H01L27/144 由辐射控制的器件〔5〕 H01L27/146 图像结构〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;7;/;1;4;6;;;H;0;4;N;5;/;3;7;4查看分类表>
申请人	普廷数码影像控股公司	申请人地址	开曼群岛大开曼变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	普廷数码影像控股公司	当前权利人	普廷数码影像控股公司
发明人	希内切克·雅罗斯拉夫
代理机构	北京律盟知识产权代理有限责任公司	代理人	刘国伟

摘要

本申请案涉及一种图像传感器像素及其操作方法，及一种图像传感器。本发明提供一种适合在背侧照明或前侧照明传感器布置中使用的图像传感器像素。所述图像传感器像素可为小尺寸像素，其包含使用垂直结型场效应JFET晶体管实施的源极跟随器。所述垂直JFET源极跟随器可直接集成到浮动扩散节点之内，从而消除在常规像素配置中通常为源极跟随器分配的过量金属路由及像素面积。可改为分配像素面积用于增加光电二极管的电荷存储容量，或可使用像素面积在维持像素性能的同时减小像素尺寸。以此方式使用垂直结型场效应晶体管简化了像素寻址操作且使与小尺寸金属氧化物半导体MOS晶体管相关联的随机电报信号RTS噪声最小化。

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