三层介电聚偏氟乙烯薄膜的制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201510022447.3
IPC分类号：--
申请日期：
2015-01-16
申请人：
哈尔滨理工大学

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法律信息

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著录项信息

专利名称	三层介电聚偏氟乙烯薄膜的制备方法
申请号	CN201510022447.3	申请日期	2015-01-16
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2015-04-29	公开/公告号	CN104553199A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	哈尔滨理工大学	申请人地址	黑龙江省哈尔滨市南岗区学府路52号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	哈尔滨理工大学	当前权利人	哈尔滨理工大学
发明人	翁凌;李红霞;刘立柱;鞠培海;王婷;闫利文
代理机构	哈尔滨东方专利事务所	代理人	陈晓光

摘要

一种三层介电聚偏氟乙烯薄膜的制备方法。传统聚偏氟乙烯是一种热塑性聚合物，有限的介电常数满足不了现代嵌入式电容器和半导体存储器件对材料高介电性能的要求，钛酸钡作为高介电常数的铁电陶瓷广泛应用于聚合物中改善聚合物的介电性能；但是掺杂量较高时，随着复合材料的介电性能的提高时其力学性能也急剧下降，达不到高容量电器元件对聚合物介电性能和力学性能的要求。一种三层介电聚偏氟乙烯薄膜，其组成是：纯聚偏氟乙烯层，所述的纯聚偏氟乙烯层（2）的上面具有改性钛酸钡杂化聚偏氟乙烯层（3），所述的纯聚偏氟乙烯层的下面也具有改性钛酸钡杂化聚偏氟乙烯层（1）。本发明应用于三层介电聚偏氟乙烯薄膜的制备方法。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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