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一种半桥功率模块

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201110134937.4
  • IPC分类号:H01L25/16;H01L23/36
  • 申请日期:
    2011-05-24
  • 申请人:
    嘉兴斯达半导体有限公司
著录项信息
专利名称一种半桥功率模块
申请号CN201110134937.4申请日期2011-05-24
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日2011-10-05公开/公告号CN102208403A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L25/16IPC分类号H;0;1;L;2;5;/;1;6;;;H;0;1;L;2;3;/;3;6查看分类表>
申请人嘉兴斯达半导体有限公司申请人地址
浙江省嘉兴市南湖区科兴路988号(嘉兴科技城) 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人嘉兴斯达半导体股份有限公司当前权利人嘉兴斯达半导体股份有限公司
发明人金晓行;刘志宏;吕镇;姬凤燕
代理机构杭州求是专利事务所有限公司代理人沈志良
摘要
本发明公开了一种大功率的半桥功率模块,它包括散热基板、绝缘基板和功率端子,散热基板上至少包含三块绝缘基板,功率端子包括第一功率端子、第二功率端子和第三功率端子,第一功率端子、第二功率端子和第三功率端子平行排列构成半桥结构,第一功率端子、第二功率端子和第三功率端子的一端均与所述的三块绝缘基板连接,第二功率端子与第三功率端子之间有一定的绝缘间距。本发明具有功率高、效率高、生产成本低和可靠性好的特点。

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