晶圆处理机台、晶圆及3DNAND存储器

实用新型专利有效专利

申请号：
CN202120117662.2
IPC分类号：H01L21/67;H01L27/11524;H01L27/11551;H01L27/1157;H01L27/11578;C23C16/26;C23C16/458;C23C16/455
申请日期：
2021-01-15
申请人：
长江存储科技有限责任公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	晶圆处理机台、晶圆及3DNAND存储器
申请号	CN202120117662.2	申请日期	2021-01-15
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/67 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/67 专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置〔8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;6;7;;;H;0;1;L;2;7;/;1;1;5;2;4;;;H;0;1;L;2;7;/;1;1;5;5;1;;;H;0;1;L;2;7;/;1;1;5;7;;;H;0;1;L;2;7;/;1;1;5;7;8;;;C;2;3;C;1;6;/;2;6;;;C;2;3;C;1;6;/;4;5;8;;;C;2;3;C;1;6;/;4;5;5查看分类表>
申请人	长江存储科技有限责任公司	申请人地址	湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	长江存储科技有限责任公司	当前权利人	长江存储科技有限责任公司
发明人	桂铭阳;罗兴安;胡淼龙;张高升;蒋志超;张春雷
代理机构	北京汉之知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	王立红

摘要

本申请提供一种晶圆处理机台、晶圆及3D NAND存储器。所述晶圆处理机台包括基座、吸附装置和阻挡装置。吸附装置设置在基座上，用于吸附晶圆。阻挡装置，其被用于配置出一个隔离区域，该隔离区域用于使晶圆的背面避免与镀膜材料接触。本申请通过在晶圆处理机台上设置阻挡装置，阻挡装置被用于配置出可使晶圆背面避免与镀膜材料接触的隔离区域。在进行镀膜操作时，隔离区域可阻挡气化的镀膜材料蔓延到晶圆背面的区域，因而晶圆的背面不会有膜层的沉积，从而省去清洗晶圆背面的步骤。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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